HVPMOS相关论文
本文主要分析寻址驱动芯片μ PD16327的电路功能,并用MEDICI软件对其高压管进行耐压仿真,实验结果证明耐压符合要求.......
为提高0.35um30_40_50VBCD(bipolar—CMOS—DMOS)I艺下50VHVPMOS的电学性能,在不改变工艺流程的基础上,仅通过微调器件结构尺寸来实现电......